Началась разработка памяти нового поколения HBM4E от Samsung

Samsunglogofoto Samsunglogofoto

Samsung Electronics усиливает фокус на сегменте памяти и технологиях для искусственного интеллекта. После публикации отчёта за первый квартал 2026 года компания подтвердила, что уже во втором квартале начнёт тестирование памяти нового поколения HBM4E — ключевого компонента для ИИ-систем и высокопроизводительных вычислений.

На фоне этого рынок памяти стремительно дорожает: DRAM за год выросла в цене почти на 90%, аналогичный рост показывает и NAND. Причина — глобальный дефицит мощностей и резкое увеличение инвестиций в инфраструктуру ИИ, где крупные игроки заранее скупают поставки.

Samsung ожидает, что в 2026 году продажи HBM-памяти утроятся, а уже к третьему кварталу более половины выручки в сегменте придётся на HBM4. Это отражает общий сдвиг индустрии в сторону решений для обработки больших данных и машинного обучения.

Параллельно компания расширяет производственную базу: во второй половине года планируется запуск второго поколения 2-нм техпроцесса для мобильных чипов и развитие 4-нм решений, включая специализированные ИИ-процессоры. В США ускоряется строительство фабрики Taylor, ориентированной на массовое производство к 2027 году.

Samsung также усиливает позиции в премиум-сегменте дисплеев, развивая IT OLED-панели поколения 8.6. На фоне роста цен и конкуренции компания делает ставку на технологическое лидерство и масштабирование производства как ключевые драйверы роста.